معراج رجایی - مدرس دپارتمان مهندسی برق و کامپیوتر-دانشکده شریعتی، دانشگاه فنی و حرفه ای استان تهران، ایران
مریم مجرد - دانشجوی دپارتمان مهندسی برق و کامپیوتر-دانشکده شریعتی، دانشگاه فنی و حرفه ای استان تهران، ایران
سویل گل محمدی - دانشجوی دپارتمان مهندسی برق و کامپیوتر-دانشکده شریعتی، دانشگاه فنی و حرفه ای استان تهران، ایران

امروزه سلول های خورشیدی چندپیوندی با راندمان بالا نسبت به سلول های تک لایه بسیار مورد توجه می باشند. از آن جا که یکی از مهمترین مشکلات استفاده از این سلول ها ایجاد پیوندهای پارازیتی می باشد و با توجه به این که یکی از بهترین راه حل ها جهت حل این معضل استفاده از فرآیند تونل زنی است، بنابراین سعی خواهد شد با استفاده از انتخاب مواد مناسب و ایجاد یک لایه پیوند تونلی، کارایی سلول بهینه گردد. در این مقاله به بررسی ساختار سلول دو پیوندی InGaP/GaAs پرداخته خواهد شد، ضمن این که تلاش می شود با افزودن یک پیوند تونلی InGaP/InGaP راندمان سلول حداکثر شود. از آنجا که بهترین راه برای کسب نتیجه از عملکرد یک سلول پیش از ساخت آن، شبیه سازی می باشد، توسط شبیه ساز ATLAS از نرم افزار Silvaco T-cad به مدل سازی ساختار سلول فوق پرداخته و اثر فرآیند تونل زنی باند به باند غیر محلی روی سلول بررسی شده و نهایتا نتایج حاصل از آن ارایه می گردد.

سلول خورشیدی چند پیوندی، تونل زنی، نرم افزار Silvaco ، شبیه ساز ATLAS