بررس طیف نوار ظرفیت نیترید سیلیکون فرا نازک
Publish place: 5th Nanotechnology Students Conference
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,573
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NANOSC05_031
Index date: 12 March 2009
بررس طیف نوار ظرفیت نیترید سیلیکون فرا نازک abstract
فیلم های نیترید سیلیکون که تا کنون بر زیر لایه ی si (100)2*1 رشد یافته اند ساختارهای کریستالی آلفایی و بتایی دارند و قادر نیستند از جریان نشتی حامل ها و جریان تونل زنی ممانعت کنند. در اینجا، توانستیم فیلم آمورف و خالص نیترید سیلیکون را بر زیر لایه ی si (100)2*1 رشد دهیم و به دلیل اهمیت ساختار سطح، در کار حاضر به ساختار کپه ای در کنار ساختار سطح فیلم پرداخته ایم در واقع با روش برازش گوسی ساختار نوار ظرفیت فیلم های فرا نازک نیترید سیلیکون را بررسی کردیم که نتایج بدست آمده نشاندهنده ی آمورف بودن فیلم نیترید سیلیکون است.
بررس طیف نوار ظرفیت نیترید سیلیکون فرا نازک Keywords:
گیت دی الکتریک ها , نانو ترانزیستور , نانو ساختار , نیترید سیلیکون فرا نازک و تکنیک تابش سینکروترونی
بررس طیف نوار ظرفیت نیترید سیلیکون فرا نازک authors
علی بهاری
دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه - گروه فیزیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :