مطالعه ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی با اتصال شاتکی به عنوان سورس و درین
Publish place: 5th Nanotechnology Students Conference
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,101
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_083
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
Abstract:
ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی به عنوان نسل آتی ترانزیستورMOSFET در مقیاس نانو معرفی شده است. کاهش ضخامت سورس و درین در این افزاره موجب کاهش جریان نشتی و بهبود عملکرد افزاره می گردد. لیکن ایجاد نواحی سورس و درین با ضخامت کم، به لحاظ تکنولوژی ساخت مشکل بوده و نیز منجر به افزایش مقاومتهای پارازیتی سورس و درین می گردد.
Authors
مرتضی فتحی پور
دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
زهرا آهنگری
دانشجوی دکتری الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :