مرتضی فتحی پور - دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
زهرا آهنگری - دانشجوی دکتری الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات

ترانزیستور SOI MOSFET دو گیتی به عنوان نسل آتی ترانزیستورMOSFET در مقیاس نانو معرفی شده است. کاهش ضخامت سورس و درین در این افزاره موجب کاهش جریان نشتی و بهبود عملکرد افزاره می گردد. لیکن ایجاد نواحی سورس و درین با ضخامت کم، به لحاظ تکنولوژی ساخت مشکل بوده و نیز منجر به افزایش مقاومتهای پارازیتی سورس و درین می گردد.