فاطمه کهنی خشکبیجاری - کارشناس ارشد مهندسی برق- الکترونیک - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران ج
مرتضی فتحی پور - استاد راهنما - دانشگاه تهران- دانشکده فنی-دانشکده مهندسی برق و کامپیو

ترانزیستورهای ماسفت با سورس / درین شاتکی () بدلیل فرایند ساخت آسانتر، عدم نیاز به کاشت سنگین برای سورس/درین، کاهش مشکلات ناشی از خازن پیوندی، تضعیف عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی، تضعیف پدیده قفل شدگی و کاهش اثر تغییرات تصادفی تراکم ناخالصی ها در داخل کانال، گزینه ای جذاب در کوچک سازی ابعاد، در طول گیت زیر 100 نانومتر می باشند.