مدلسازی لیزر نیمه هادی مخابراتی نقطه کوانتومی

در این تحقیق، لیزر نیمه هادی نقطه کوانتومیInAs/GaAs با در نظر گرفتن حالتهای پایه، برانگیخته، پیوستار و وتینگ و لحاظ کردن اثرات ساختاری ناشی از فرآیند ساخت نظیر پهن شدگی غیر همگن بهره، و محیطی نظیر درجه حرارت و پهن شدگی همگن، آنالیز شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان میدهد که با انتخاب مناسب پارامترهای لیزر نقطه کوانتومی نظیر جریان تزریقی، درجه حرارت، پهن شدگی همگن و زمانهای و اهلش، می توان به هر یک از حالت های لیزش پایه، برانگیخته و پایه- براگیخته بطور همزمان رسید. نتایج بدست آمده از مدل در توصیف وابستگی عملکرد لیزر به درجه حرارت و جریان تزریقی، تطابق خوبی با نتایج عملی دارد. در مدل مطرح شده از معادلات نرخ استاندارد استفاده شده است.

Keywords:

لیزر نقطه کوانتومی , پهن شدگی همگن , پهن شدگی غیر همگن