ارائه دو ساختار برای افزاره نانومتری IMOS به منظور کاهش ولتاژهای بایاس و مقایسه آنها با ساختار های متداول
عنوان مقاله: ارائه دو ساختار برای افزاره نانومتری IMOS به منظور کاهش ولتاژهای بایاس و مقایسه آنها با ساختار های متداول
شناسه ملی مقاله: NANOSC05_169
منتشر شده در پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو در سال 1388
شناسه ملی مقاله: NANOSC05_169
منتشر شده در پنجمین همایش دانشجویی فناوری نانو در سال 1388
مشخصات نویسندگان مقاله:
حامد نعمتیان - دانشگاه صنعتی مالک اشتر، مجتمع برق و الکترونیک، تهران
مرتضی فتحی پور - دانشگاه تهران، دانشکده برق و کامپیوتر، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل ساز
خلاصه مقاله:
حامد نعمتیان - دانشگاه صنعتی مالک اشتر، مجتمع برق و الکترونیک، تهران
مرتضی فتحی پور - دانشگاه تهران، دانشکده برق و کامپیوتر، آزمایشگاه شبیه سازی و مدل ساز
ترانزیستورهای ماسفت، به علت خواص مقیاس پذیری بسیار خوب، در چندین دهه گذشته از محبوبیت بسیار بالایی برخوردار بوده اند. با این وجود، ورود به حوزه ابعاد نانو این افزاره را دچار مشکلات متعددی کرده است. یکی از اساسی ترین مشکلات افزاره های ماسفت در ابعاد نانو، محدودیت شیب زیر آستانه(S) می باشد.
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/68855/