اقدس محمودیان - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اصفهان
محمد روح الله یزدانی - استادیار دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اصفهان

دراین مقاله به مقایسه سه تقویت کننده کم نویز با ساختار کاهش نویز پرداخته می شود. ساختار نخست روی حذف IMD3 متمرکز است. با استفاده از یک ساختار CMOS ومدار پوش- پول، IMD3 حذف شده است.اگرچه نقاط حذف بهینه ی نویز و اعوجاج متفاوتند، اما عدد نویز کاهش نیافته است. در ساختار دوم با افزایش gm تقویت شده در همان مدار پوش- پول برای دستیابی به انطباق ورودی و کاهش عدد نویز و همچنین حذف IMD3 استفاده شده است. در ساختار سوم از تکنیک حذف نویز به وسیله مدارات فیدبک و فیدفوروارد جهت بهبود تطبیق ورودی استفاده شده است. ساختارهای دوم و سوم از مدارات CMOS تفاضلی جهت دستیابی به تکنیک غالب پرداخته شده است. در تمامی بحث های ارایه شده هدف بهبود تطبیق امپدانس ورودی و کاهش عدد نویز می باشد.

تفاضلی (Differential)، تقویت کننده کم نویز (LNA)، خطسانی (Linearity)، حذف نویز (Noise Cancelling)، اعوجاج اینترمدولاسیون سوم (IMD3)