طاهره محمودی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهرکرد
آرش دقیقی - دانشیاردانشگاه شهرکرد

دراین مقاله مدل مداری ساختارترانزیستور I-gate مورد بررسی قرارگرفته است پارامترهای مدل مورد بررسی بااستفاده ازنتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده باطول کانال 45نانومتر تنظیم شدها ست اثرتغییرات غلظت نوار P دراتصال بدنه I-gate برروی ساختاربررسی گردید و نمودارهای مربوطه رسم گردید باتوجه به دوپینگ های مختلف ساختارمیتوان نتیجه گرفت که نوارمیانی استفاده شده دراین ساختاردوپینگش ازیک مقدار معین نمی تواند کمتر باشد زیرااستفاده ازدوپینگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه و درنتیجه ولتاز بدنه میشود میزان غلظت مناسب بدست آمده برای این ساختار 1e18 cm3 است

ماسفت سیلیکون برروی عایق، اتصال بدنه I-gate،مقاومت بدنه