اسیلاتور حلقوی موج میلیمتری با استفاده از ترانزیستور GNRFET در فرکانس 213 گیگا هرتز و فراتر
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 671
This Paper With 10 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ARSE01_010
تاریخ نمایه سازی: 22 دی 1396
Abstract:
ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET ها) رقیب تکنولوژی MOSFET معمولی با توجه به قابلیت های درایو جریان بالاتر، حمل و نقل بالستیک، حاصلضرب تاخیر در توان کمتر و پایداری حرارتی بالاترشان می باشند. بر اساس این خواص امیدوار کننده GNRFET ها، در این مقاله یک اسیلاتور حلقوی موج میلیمتری براساس GNRFET که در محدوده فرکانسی 213 گیگاهرتز و فراتر کار می کند در تکنولوژی 16 نانومتر معرفی شده است. به خاطر سادگی در طراحی RF، اسیلاتور بر اساس وارونگرهای GNRFET است. توان مصرفی میانگین اسیلاتور در محدوده فرکانس 213 گیگا هرتز 2/35 میکرو وات با دامنه هارمونیک پایه حدود 0/97-- دسی بل است. این مقادیر براساس شناخت ما برای نخستین مورد گزارش شده در مقالات در زمینه طراحی های اسیلاتور مبتنی بر GNRFET هستند.
Keywords:
ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) , موج میلیمتری , اسیلاتور حلقوی , حاصلضرب تاخیر در توان (PDP)
Authors
وحید باغی رهین
گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران
امیر باغی رهین
گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران