عملکرد ترانزیستورها درمقیاس نانو با ساختار تزویج شده

در این مقاله به بررسی عملکرد ترانزیستورها در مقیاس نانو برای استفاده در مدار ات مجتمع الکترونیکی بسیار فشرده می پردازیم. به منظور کوچک سازی بیشتر اجزای مدار در مقیاس نانو، شاید حتی مقیاس مولکولی، محققان چند جایگزین برای ترانزیستور در مدارات فوق فشرده، پیشنهاد داده اند. این وسایل الکترونیک نانومقیاس شبیه ترانزیستورهای کنونی، هم به عنوان سوییچ و هم به عنوان تقویت کننده عمل مورد استفاده قرار میگیرند. اما، بر خلاف ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی، که بر اساس حرکت توده الکترون در ماده حجیم عمل می کند، وسایل جدید، از پدیده های مکانیک کوانتومی سود می برد که در مقیاس نانو اتفاق می افتد. در این مقاله ابتدا ترانزیستورهای معمول مورد بررسی قرار می گیرد و محدودیت های آن و مشکلات کوچکترسازی آنها مطرح می شود و برای حل این مشکل ترانزیستورهای حالت جامد که از اثرات کوانتومی در مقیاس نانو بهره می گیرند، پیشنهاد می شود و از این میان، نمونه هایی با ساختار تزویج شده بحث خواهد شد.

Keywords:

کوانتوم , ترانزیستور , نانو , ساختار تزویج شده