بازرسی قطعات فرو مغناطیسی به روش نشت شار مغناطیسی (MFL) و تاثیر ابعاد نقض بر میدان مغناطیسی با استفاده از مدلسازی عددی MFL PM

امروزه درصنعت از مخازن تحت فشار استفاده های بسیار زیادی برای حمل و نقل و نگهداری انرژی می شود که این مخازن بواسطه حجم عملیات بالای بازرسی و حساسیت کاری آنها نیازمند به استفاده از روش های دوره ایی و اتوماتیک می باشند. بهینه ترین روش پیشنهادی از نظر هزینه و نحوه کارکرد و نتایج در مقابل سایر تکنیک های تست غیر مخرب (NDT) روش نشت شار مغناطیسی (MFL) است که برپایه الکترومغناطیس میباشد. هنگامی که یک میدان مغناطیسی به یک ماده فرومغناطیس اعمال می شود، نشت شارمغناطیسی بدلیل ناپیوستگی های هندسی موجود در قطعه باعث تحریک سنسورهای مورد استفاده در مجاورت میدان مغناطیسی می شوند. میدان مغناطیسی می تواند به دو روش اهنربای دایم و یا سیم پیچ به همراه یوک فریتی ایجاد گردد. بواسطه پیچیدگی هندسی عیوب بوجود آمده و پارامترهای موثر بر نشتی شار مغناطیسی نیاز به تحلیل فرایند بازرسی MFL امری اجتناب ناپذیر می باشد. در این مقاله قصد داریم به تشریح روش نشت شار مغناطیسی با آهنربا و بوسیله سیم پیچ بپردازیم همچنین تاثیر پارامتر هندسه ابعادی عیوب (طول، عمق) را بر میزان نشت شار مغناطیسی و اثر فاصله سنسور بر میدان مغناطیسی توسط روش المان محدود بصورت دو بعدی در ورق های فلزی فرومغناطیسی را بررسی می کنیم.نهایتا قابلیت سنسورهای مورد استفاده در این روش گفته می شود.

Keywords:

نشت شارمغناطیسی , تست غیرمخرب , سنسور مغناطیسی , الکترومغناطیس , المان محدود