شبیه سازی آثار غیرخطی نوری در موجبر سیلیکون به روش FDTD
Publish place: 12th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,654
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_203
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
Abstract:
با توجه به انرژی شکاف ترازی سیلیکون ، که در محدوده طول موج مخابرات نوری قرار دارد، فرآیند های نور ی غیرخطی به خصوص جذب دو فوتونی، جذب ناشی از حامل های آزا د و اثر تغییر ضریب شکست پلاسم ا ، نقش مهمی در انتشار پرتو و خصوصیات طیفی آن در موجبر سیلیکون دارند. این آثار با کمک الگوریتمی مرکب از روش ADE و روش اعمال جذب به جزء رسانش، در شبیه سازی FDTD وار د شدند . این الگوریتم برای شبیه سازی انتشار پرتو در موجبر سیلیکون HIC تک مود بکار برده شد. نتایج شبیه ساز ی در توافق با گزارش های تجربی است . بر پایه د ا نسته های ما، این دومین الگوریتم FDTD غیرخطی کامل ارائه شده تا به حال است . این الگوریتم در مقایسه با اولین الگوریتم ارائه شده، ضمن افزایش سرعت اجرا، قابلیت بیشتر ی در بررسی جداگانه هر یک از فرآیندهای غیرخطی نوری دارد طوری که م ی توان بدون تغیی ر شکل الگوریتم هر فرآیند دیگری را با مدل مناسب به آن افزو د . اجرای شبیه ساز ی برای ساختارهای پیچیده تر شامل حلقه های مشدد به سادگی امکان پذیر است.
Keywords:
Authors
عباس علیایی
دانشگاه سمنان دانشکده برق
فرزاد توکل همدانی
دانشگاه سمنان دانشکده برق
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :