بررسی سد شاتکی در اتصال جانبی بین نانوتیوب - پالادیم به روش تئوری تابع چگالی
Publish place: 12th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,402
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_222
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
Abstract:
اتصال بین نانوتیوب های تک لایه (SWCNT) و لیدهای فلز، اهمیت زیادی در ساخت ادوات الکترونیکی مخصوصا ترانزیستورهای سد شاتکی دارد. در این مقاله به بررسی اثر سد شاتکی ایجاد شده در اتصال جانبی بین نانوتیوب (8,0) و شبکه <110> پالادیم به روش تئوری تابع چگالی پرداختیم. در نهایت با بررسی سطوح فرمی سیستم اتصالی (نانوتیوب - پالادیم) و نانوتیوب ذاتی ارتفاع سدشاتکی 0.34eV تعیین شد که در مقایسه با مقدار آزمایشگاهی 0.4V از دقت خوبی برخوردار است.
Keywords:
Authors
علی کاظم پور
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف
علی شاه حسینی
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :