مدل اصلاح اثرات کوانتومی برای بار معکوس و مشخصات جریان- ولتاژ قطعه MOSFET
Publish place: 12th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,342
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_229
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
Abstract:
فرمولهای تحلیلی اصلاح یک بعدی اثرات کوانتومی برای بار معکوس و مشخصههای جریان- ولتاژ، از مدل گرادیان چگالی (DG) استخراج می شوند.برای معادلات نفوذ-رانش کلاسیک نتایج، توسط Markowich وWard ،Please ارائهشدهاست. نتایج Ward برای بدست آوردن فرمولهای صریح برای بدست آوردن فرمولهای صریح MOSFET در بازه ولتاژ قطعه دقیق میباشد Ancona تئوری DG را برای مدل کردن اثرات کوانتومی در معادلات انتقال الکترون و حفره معرفی کرد. نتایج شبیهسازی جریان-ولتاژ و ظرفیت-ولتاژ با استفاده از مدل DG نتایج خوبی را نشان میدهد. این روش عددی در سطح شبیهسازی ادوات نیمههادی مناسب میباشد. با این وجود، برای کاربردهای تحلیلی مدار، مدل ساده تحلیلی مورد نیاز میباشد.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :