حسن قاضی اسدی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی و مهندسی

کاربرد رشد MOCVD لایه پوشاننده n+-InxGa1-xAs برای ایجاد یک اتصال اهمی غیر آلیاژی با ادوات بر پایه GaAs بررسی شده است. مقاومت اتصال ویژه خیلی پایینی (فرمول در متن اصلی مقاله) با استفاده از سیستم اتصال فلزی معمول Ni/AuGe/Ni/Au اندازه گیری شده است.یک مدل نظری برای تونل زنی از سد نیمه رسانا – فلز با استفاده از تقریب WKB بدست آمده است که تناسب خوبی را با نتایج آزمایشگاهی نشان می دهد. ساخت HPDL با استفاده از این لایه های پوشاننده ،InGaAs مقاومت بسیار پایین قطعه را تضمین می کند، که در مقایسه با ساختارهای HPDLی که از لایه های پوشاننده GaAs استفاده می کنند، چهار برابر کمتر است.

اتصال اهمی، سد پتانسیل نیمه رسانا – فلز ، مقاومت اتصال ویژه ،InGaAs دیود لیزر پر قدرت