احسان کارگران - مهندسی الکترونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
حجت خسروجردی - مهندسی الکترونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
کریم غفارزادگان - مهندسی الکرتونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد

طراحی و شبیه سازی نتایج تقویت کننده تماما مجتمع در فرکانس 5.7GHz نشان داده شده است . در طراحی این LNA، مقاومت پارازیت ورودی گیت MOSFET با یک شبکه LC ساده به 50 اهم تبدیل می شود. با این کار نیازی به دژنراسیون سلفی نیست. با این روش به دلیل حذف سلف در سورس MOSFET بهره افزایش می یابد . یکی از مهمترین فاکتورهای LNA تطبیق امپدانس ورودی می باشد که مقدار این پارامتر در فرکانس مدار برابرdB - 14 و تطبیق امپدانس خروجی 14.7-dB و گین 15.2dB و عدد نویز 4dB می باشد. این مدار با تغذیه 10mwو1.8v توان مصرف می کند.

کننده کم نویز، دژنراسیون سلفی، مقاومت پارازیت گیت، تطبیق امپدانس