حمیدرضا دهقانپور - دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر
پرویز پروین - دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر

تابش لیزر اگزایمر ArF بر سطح سیلیکون در مجاورت گاز SF6 در بازه ی فشاری معینی باعث ایجاد میکروساختار خودانگیخته منظمی بر سطح سیلیکون می گردد. تغییرات دز تابش لیزر و نیز فشار گاز SF6 سبب تغییر در خواص هندسی میکروساختار می گردد. در این مقاله مدلی برای توجیه چگونگی ایجاد این میکروساختار خودانگیخته و نیز توضیح ارتباط میان خواص هندسی و دو عامل دز لیزر تابشی و فشار گاز SF6 ارائه گردیده است.

میکروساختار ، لیزر اگزایمر، سیلیکون، امواج سطحی، الگوی تشدیدی