تاثیر زمان و دمای پوشش دهی شیمیایی لایه نازک Cds بر روی ITO از نظر ضخامت و عبور دهی نور سلول خورشیدی تولید شده
Publish place: 10th Iranian Seminar on Surface Engineering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,276
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE10_047
تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388
Abstract:
ماده نیمه هادی CdS دارای خاصیت فتوولتاییک می باشد. از مواد نیمه هادی در ساخت سلولهای خورشیدی برای تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریسیته استفاده می شود. در این پژوهش لایه نازک سولفید کادمیم بر روی زیرلایه ITO در سه زمان 220، 140 و 300 دقیقه و سه دمای °50C ، 55C , 60C به روش لایه نشانی شیمیایی پوشش داده شد. تاثیر زمان و دما بر روی ضخامت و عبوردهی نور بررسی شد. این عمل برای تعیین ضخامت مناسب جهت بهینه سازی و بهبود میزان جذب در لایه پوشش CdS صورت گرفت. میزان عبور نور در تمام نمونه ها بررسی شد و ملاحظه گردید که با افزایش دما و زمان پوشش دهی، ضخامت پوشش افزایش و میزان عبوردهی نور کاهش می یابد. برای بررسی کیفیت پوشش از میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و آنالیز پراش پرتو ایکس XRD استفاده شد.
Keywords:
Authors
مهشید سام
گروه مهندسی مواد، دانشگاه شیراز
کمال جانقربان
گروه مهندسی مواد، دانشگاه شیراز
میلای مجتهدی
گروه مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه علم و صنعت ایران
ابراهیم اصل سلیمانی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شیراز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :