محمدمهدی مبین - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر
جواد باعدی - عضو هیات علمی گروه فیزیک دانشگاه حکیم سبزواری
حسین فیروزی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر
راحله غلامی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری دانشکده برق و کامپیوتر

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای و مکعبی در سایز نانومتر می پردازیم و با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی می کنیم. تاثیر پارامترهای مختلف مانند ضخامت اکسید، طول گیت، غلظت ناخالصی، و طول و ارتفاع فین را بر مشخصه های ترانزیستور مانند نمودار ولتاژ جریان، ولتاژ آستانه، شیب زیرآستانه، جریان روشن و جریان خاموش بررسی و با ترنزیستورهای Fin FET و همچنین DG FET مقایسه می کنیم.

؛ (Cy-GAA)Cylindrical Gate-All-Around ، ترانزیستور GAA استوانه ای، نرانزیستور GAA مکعبی (Re-GAA) Rectangular-Gate All Around