محاسبه انرژی گاف سیم کوانتومی سیلیکان ساخته شده بر اثر آندیزاسیون سطح به روش تقریب جرم مؤثر
Publish place: 10th Iranian Seminar on Surface Engineering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,090
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE10_161
تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388
Abstract:
ساختار نواری سیم های کوانتومی سیلیکان به روش تقریب جرم مؤثر محاسبه گردید.محاسبات انجام شده توسط یک برنامه کامپیوتری به زبان فرترن نوشته شد. جابجایی گاف نواری برای سیم های با ضخامت 8-1nm را به دست آوردیم. نتایج نشان داد که با کاهش ضخامت سیم، نوار گاف بزرگتر می شود. همچنین نسبت تغییرات بالاترین نوار ظرفیت به پایین ترین نوار رسانش را 0/901 به دست آوردیم.
Keywords:
Authors
فهیمه زاهدی
دانشکده فیزیک دانشگاه الزهرا
رضا ثابت داریانی
دانشکده فیزیک دانشگاه الزهرا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :