بررسی روش های بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا HEMT
Publish place: 2nd International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 690
This Paper With 17 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE02_041
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
Abstract:
در این مقاله به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا با ماده گالیوم آرسناید و ارایه ساختاری نوین برای آن می پردازیم. در ابتدا توضیحاتی در مورد ماده گالیوم آرسناید، ویژگی های آن و ادوات با پیوندهای ناهمگون داده شده است. بعد از ارایه روش های افزایش ولتاژ شکست و بررسی ساختارهای پیشنهاد شده به بررسی ساختار پیشنهادی خود می پردازیم. به منظور بهبود ولتاژ شکست افزاره ساختار مرسوم، طرح پیشنهادی که شامل یک پله در قسمت گالیوم آرسناید افزاره مرسوم است را ارایه نمودیم. در این طرح پیشنهادی با تغییر ضخامت کانال (با ایجاد پله در ساختار مرسوم) میدان الکتریکی را در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم بهبود داده ایم. بهبود میدان الکتریکی و تغییرات بار کانال در ساختار جدید به طور همزمان سبب بهبود و افزایش ولتاژ شکست شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر بهبود ولتاژ شکست افزاره، جریان درین حالت اشباع نسبت به ساختار مرسوم به اندازه افزایش یافته است. با افزایش ولتاژ شکست و جریان درین حالت اشباع در ساختار جدید، ماکزیمم توان و هدایت انتقالی بهبود می یابد. علاوه بر بهبود پارامترهای DC ذکر شده، بهره جریان ساختار جدید بطور قابل توجهی نسبت به ساختار مرسوم بهبود یافته است.
Keywords:
ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا , گالیوم آرسناید , میدان الکتریکی , تغییرات بار کانال , ولتاژ شکست
Authors
رضا مظلوم
دانش آموخته کارشناس ارشد برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ورامین
سعید رضایی کلج
کارشناس مهندسی مکانیک – محقق در زمینه مکاترونیک - کارشناس ارشد مدیریت صنعتی دانشگاه بین المللی امام خمینی