شبیه سازی تمام جمع کننده 8 ترانزیستوری با تکنولوژی های CNTFET & CMOS
عنوان مقاله: شبیه سازی تمام جمع کننده 8 ترانزیستوری با تکنولوژی های CNTFET & CMOS
شناسه ملی مقاله: ICELE02_075
منتشر شده در دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق در سال 1396
شناسه ملی مقاله: ICELE02_075
منتشر شده در دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق در سال 1396
مشخصات نویسندگان مقاله:
ایوب صادقی - دانشجوی مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد مرودشت
محمود رفیعی - دانشجوی مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد مرودشت
محمد توفیق رفیعی - دانشجوی مهندسی برق قدرت دانشگاه شهید باهنر شیراز
خلاصه مقاله:
ایوب صادقی - دانشجوی مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد مرودشت
محمود رفیعی - دانشجوی مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد مرودشت
محمد توفیق رفیعی - دانشجوی مهندسی برق قدرت دانشگاه شهید باهنر شیراز
در این مقاله ما یک سلول تمام جمع کننده 1 بیتی [1] با 8 ترانزیستور را با تکنولوژی های مختلف شبیه سازی کرده ایم تا به بهترین توان مصرفی و تاخیر زمانی دست یابیم.در این شبیه سازی ها، هم از تکنولوژی های مورد استفاده برای تراتزیستور های CMOS استفاده شده ، و هم شبیه سازی با نسل جدید ترانزیستور های کربن نانو تیوپ انجام شده است .[2]تکنولوژی های استفاده شده 90نانومتر[3,4]،180 نانومتر و 32نانومتر میباشد.با توجه به شبیه سازی ها و نتایج بدست آمده بهترین توان و تاخیر که تقریبا برابر با هم می باشند مربوط به تکنولوژی 90 نانومتر و 32 CNTFET نانومتر می باشد که به ترتیب مقدار 1121,4 میلی وات و 2194,9 میلی وات را دارا می باشند.تمامی شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار TSMC HSPICE انجام شده است.
کلمات کلیدی: تمام جمع کننده، CMOS ، CNTFET، توان ، تاخیر ، بردار کرالیتی، PDP
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/698360/