مصطفی خیاطی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
فرهاد رزاقیان - استادیار و عضو هییت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
رضا صباغی ندوشن - استادیار و عضو هییت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

امروزه با پیشرفت تکنولوژی و افزایش سرعت و فرکانس کاری مدارهای روی تراشه و همچنین حافظه ها، نیاز به حافظه های با سرعت بالا و مقاوم در برابر ذررات پر انرژی منجر شونده افزایش یافته است. به خصوص در سیستم های ماهواره ایی که بیشتر از سایر ادوات الکترونیک در معرض پرتو های پر انرژی قرار دارند. در این مقاله یک سلول حافظه ایستا با استفاده از 15 ترانزیستور طوری طراحی گردیده که هم سرعت بالا را براورده کند و هم در مقابل خطای نرم مقاوم باشد، در این طراحی حاشیه نویز استاتیکی در مقابل سلول 6 ترانزیستوری پایه ایی افزایش یافته است. شبیه سازی در تکنولوژی 0/18 مایکرون با استفاده از نرم افزارهای Hspice و Cadance صورت گرفته است.

خطای نرم، سیستم روی تراشه – (Soc) ذررات آلفا- حاشیه نویز استاتیک