استفاده ازMOSFET در TCAD با سد شاتکی دارای سیلیس برای مهندسی سورس-درین برآمده

از TCAD برای مطالعه عملکرد یک MOSFET با سد شاتکی (SB) دارای سیلیس و اتصالات گیت، سورس و درین که به وسیله نیکل-سیلیسید ساخته شده استفاده شده است. ساختارهای سورس-درین برآمده در راستای مهندسی سورس-درین دستگاههای CMOS استفاده شده اند. برای اولین بار از یک شبیهسازی کامل از پروسه تا دستگاه برای پیشبینی عملکرد n-MOSFET های SB زیرمیکرونی استفاده شده است. مدلی برای نفوذ و سینتیک رشد آلیاژ در SILVACO-ATLAS و ATHENA برای بررسی فضای پارامتر طراحی و پروسه MOSFETهای دارای نیکل-سیلیس به کار گرفته شده است. مدل نفوذ وابسته به دما و غلظت برای NiSi توسعه داده شده و پارامترهای مواد مورد نیاز برای نیکل-سیلیس و سیلیس همبافته (epitaxial) از طریق تابع C-interpreter در نظر گرفته شدهاند. شبیهسازیهای از پروسه تا دستگاه دو بعدی نیز برای مطالعه عملکرد dc و n-MOSFET acهای سدشاتکی دارای سیلیس به کار گرفته شدهاند. مقاومت صفحهای به دست آمده به صورت تابعی از دمای آنیلینگ اتصالات سورس-درین سیلیسدار نشان میدهد که مقدار آن نسبت به اتصالات معمول که در حال حاضر استفاده میشوند کمتر است. همچنین نشان داده شده است که TCAD قابلیت پیشبینی امکان بهبود عملکرد dc و ac یک MOSFET با ساختارهای سورس-درین برآمده را دارد. در حالی که عملکرد dc شبیهسازی شده بهبود واضحی را نشان میدهد، تحلیلهای RF هیچگونه تنزل عملکردی را در فرکانس قطع یا تاخیر انتشار نشان نداده و همچنین عملکرد ac را به دلیل به کارگیری اتصالات دارای سیلیس در ناحیه سورس-درین بهبود میبخشد.

Keywords:

TCAD , SB-MOSFET , مهندسی سورس-درین , دمای آنلینگ , فرکانس قطع