لیلا آبادی مرند - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مواد دانشگاه صنعتی سهند
لیلا آبادی مرند - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مواد دانشگاه صنعتی سهند
فرزاد نصیر پوری - استاد، دانشکده مواد دانشگاه صنعتی سهند

رسوب دهی الکتروشیمیایی با استفاده از جریان متناوب یکی از روش های مهم جهت ایجاد نانوسیم های مغناطیسی در داخل تمپلیت اکسید آندی آلومینیوم ( AAO ) به دلیل حضور لایه مانع در انتهای حفرات می باشد. ساختار کریستالوگرافی نانوسیم های کبالت از نوع hcp بوده است که دارای جهت گیری ترجیهی در راستای جهت [002] عمود بر محور نانوسیم می باشد. در این مطالعه براساس نمودارهای زمان جریان بدست آمده در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی مشخص گردید که در حضور میدان، نرخ های رسوب دهی فلز با دانسیته شار مغناطیسی افزایش می یابد که این پدیده به واسطه همرفت نیروی لورنتس ایجاد می شود، یعنی اثر هیدرودینامیک مغناطیسی، که انتقال جرم یون های فلزی اطراف سطح الکترود را افزایش داده و حفره ها سریع تر پر می شوند. این درحالی است که در حالت بدون میدان مغناطیسی این فرایند ( پر شدن حفرات ) در حدود دو برابر زمان حالت اول صورت می گیرد. با توجه به خواص مطلوب نانوسیم های کبالت، مانند مغناطش و دمای کوری بالا و خصوصیات مناسب تمپلیت های اکسید آلومینیوم منظم آرایه نانوسیم های کبالت خالص در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی رسوب دهی گردید و بعد از انحلال تمپلیت و تهیه الگوی پراش اشعه ایکس، کاهش شدت پیک ( 002 ) مربوط به نمونه های سنتز شده در حضور میدان مغناطیسی نشان دهنده چرخش و جهت گیری کریستالی نانوسیم های کبالت از راستای عمود به محور چرخش به راستای موازی با محور نانوسیم ها می باشد.

نانوسیم، کبالت، رسوب دهی الکتروشیمیایی متناوب، نیروی لورنتس، میدان مغناطیسی