بررسی نظری خواص الکترونیکی پیزوالکتریک Ca3TaGa3Si2O14 باروش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خطی
Publish place: The 3rd National Conference of Materials Engineering, Chemical engineering and Industrial safety
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 327
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MCIS03_021
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
Abstract:
در این مقاله برخی خواص الکترونیکی ترکیب Ca3TaGa3Si2O14 (CTGS) در فاز هگزاگونال و گروه فضایی P321 و ثابت های شبکه (a=8.1056(2) Å ,c=4.9800(1) Å ,z=1)بدست اورده شده است.از جمله این خواص می توان به چگالی ابرالکترونی، ساختار نواری و چگالی حالت ها اشاره کرد که اشکال هر مورد گنجانده شده است. برای تهیه این خواص از کد محاسباتی Wien2k استفاده شده است. محاسبات این کد با بکارگیری تقریب شیب تعمیم یافته ( GGA ) و روش پتانسیل کامل به همراه امواج تخت تقویت شده خطی FL_LAPW در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی DFT بوده است. بررسی چگالی کل ترکیب و ساختار نواری نشان می دهد که گاف نواری آن غیرمستقیم بوده و برابر 4/1v می باشد.
Keywords:
Authors
اسمعیلی کرناوه عاطفه
دانشجوی ارشد دانشکده علوم پایه فیزیک دانشگاه حکیم سبزواری
جواد باعدی
استادیار، دانشکده علوم پایه فیزیک، دانشگاه حکیم سبزواری