ارایه یک تقویت کننده کم نویز باند پهن بدون اندوکتانس در تکنولوژیCMOS
Publish place: The 3rd National Conference of New achievements in Electrical, Computer and Industrial Engineering
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 526
This Paper With 10 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCAEC03_002
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز باندپهن بدون اندوکتانس ارایه شده است. برای بهبود پارامتر نویز فیگر از تکنیک حذف نویز استفاده شده است. توپولوژی مدار به صورت ترکیب مدار گیت مشترک با سورس مشترک می باشد که به صورت مدار بالون عمل کرده و سیگنال تک سر دریافتی از آنتن را به یک سیگنال تفاضلی در خروجی تبدیل می کند. بهره مدار قابلیت تنظیم به صورت دیجیتالی را دارا می باشد و می تواند در دو مد بهره بالا و بهره پایین کار کند. تقویت کننده مذکور در تکنولوژی 180nm CMOS طراحی و به کمک نرم افزار ADS شبیه سازی گردید. نتایج بدست آمده از شبیه سازی ها نشان می دهد که نویز فیگر تقویت کننده پیاده سازی شده در بدترین حالت در بازه فرکانسی 0.2-4 GHz کمتر از 3.9 dB، متوسط بهره توان حدود 13.5 dB می باشد. کل توان کشیده شده از منبع تغذیه 1.5 V حدود 6.6 mW می باشد.
Keywords:
Authors
رضا رضاپور
کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد
سیدامیر گوهری
استادیار، دانشکده فنی و مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد