مدلسازی جریان کوانتمی ترانزیستورهای تک الکترونی با دو جزیره گرافنی
عنوان مقاله: مدلسازی جریان کوانتمی ترانزیستورهای تک الکترونی با دو جزیره گرافنی
شناسه ملی مقاله: NCAEC03_016
منتشر شده در سومین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق وکامپیوتر و صنایع در سال 1396
شناسه ملی مقاله: NCAEC03_016
منتشر شده در سومین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق وکامپیوتر و صنایع در سال 1396
مشخصات نویسندگان مقاله:
سیدنورالله هدایت - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران.
محمدتقی احمدی - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران.
خلاصه مقاله:
سیدنورالله هدایت - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران.
محمدتقی احمدی - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران.
ترانزیستور تک الکترونی قطعه ای در ابعاد نانومتر است که از تونل زنی الکترون برای تقویت جریان آن استفاده می شود. این ترانزیستور از چهار قسمت سورس، درین، گیت و بخشی به نام جزیره تشکیل شده است. برای کارکرد در دمای اتاق باید سایز جزیره به ابعاد زیر ده نانومتر کاهش یابد. بنابراین جزیره کوچک می شود و تغییرات کوچک در شکل جزیره باعث تغییرات غیر قابل پیش بینی و قابل توجهی در محدوده سطوح انرژی و در نتیجه باعث تغییر در ولتاژ دستگاه خواهد شد. در این تحقیق از جزیره هایی از جنس ماده پایه گرافنی استفاده و توانایی این ماده ی گرافنی در رفع این محدودیت بررسی می شود. سپس جریان ترانزیستور با دو جزیره گرافنی مدل سازی و با جریان ترانزیستورهای با نقاط کوانتمی سیلیکونی مقایسه می شود.
کلمات کلیدی: ترانزیستور تک الکترونی، گرافن، ضریب عبور، جریان کوانتمی، جزیره گرافنی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/701320/