طراحی و شبیه سازی دو مدار پایه محاسباتی با افزاره های نانو مقیاس مبتنی برنانولوله های کربنی

مدارات پایه محاسباتی ، به دلیل توانایی در پیاده سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخشهای اصلی پردازنده های دیجیتالی در طراحی مدارهای مجتمع، شناخته می شود با احتساب این موضوع برای تحول در سیستم های پردازشی باید ساختاری جایگزین یا بهبود یافته برای جمع کننده ها طراحی کرد . پس از نانو متری شدن ابعاد ترانزیستورها و کشف قطعاتی همچون ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی و از آنجایی که در سال های اخیر ترانزیستور های CNTFET بازده بهتری به نسبت MOSFET داشته ، تلاش ها برای طراحی ، اجرا و عملیاتی کردن مدارات با CNTFETها افزایش چشمگیری داشته است . در این پژوهش تلاش شده است که سلول تمام جمع کنندی جدیدی با بهره گیری از تکنولوژی CNTFET (ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله ی کربنی) ، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارایه گردد. طرح پیشنهادی با استفاده از 26 ترانزیستور نانو لوله کربنی و با استفاده از ساختار xor/xnor پیاده سازی شده است . شبیه سازی مدار با نرم افزار HSPICE و در ولتاژ 9/0 ولت انجام گرفته است . مدارات را در سه ولتاژ مختلف مورد آزمایش قرار داده شده و در پایان مقایسه ای میان مدار پیشنهادی و مدل های پیشین صورت گرفته است و نتایج آن در چند جدول آورده شده است.

Keywords:

مدار محاسباتی , cntfet , mosfet , نانولوله های کربنی