برررسی خواص نوری و الکتریکی نیم رساناهای پهن گاف ZnS, ZnO با آلایش یون 2+Cu بعنوان باند میانی در کاربردهای متفاوت جذب و انتقال فوتون های انرژی
Publish place: 14th Student Scientific Conference on Iranian Materials and Metallurgical Engineering
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 850
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMEMI14_045
تاریخ نمایه سازی: 29 فروردین 1397
Abstract:
در این مقاله ما به بررسی تاثیرات آلایش مواد ناخالصی یون های 2+Cu درون نیم رساناهایی پهن گاف اکسید روی (ZnO) و سولفید روی (ZnS) بعنوان یک باند میانی و افزایش طیف جذبی و کاربردهای متفاوت این نیم رساناهای دارای حالت شیمیایی پایدار به ویژه برای ساخت و ساز دستگاه های فتوولتاییک، اپتوالکترونیک و غیره می پردازیم. این نیم رساناها دارای گاف انرژی پهن اکسید روی دارای گاف انرژی در محدوده ی 3.4eV و ZnS دارای گاف انرژی در محدوده ی 3.7eV به خوبی برای جذب طیف در منطقه ماوراء بنفش مناسب است اما برای جذب نور مریی خیلی بزرگ هستند. به این دلیل می توانند تنها طیف ماوراء بنفش که بخش کوچکی به اندازه تقریبا 5٪ از انرژی خورشیدی را جذب کنند در مقایسه با نور مریی که تقریبا 45 ٪ از انرژی خورشیدی را جذب می کند بعنوان یک مشکل عمده این مواد است. می توان به سادگی با دستکاری مهندسی می توانیم شکاف باند هر دونیم رسانایی ZnO و ZnS را کاهش داد. روش معمول برای کاهش فاصله ی باند یک نیمه هادی آلایش بلوری با عناصر دیگر (ایجاد ناخالصی) است.
Keywords:
Authors
ذبیح اله استکی
کارشناسی ارشد مهندسی نانو مواد- نانوفناوری، دانشگاه مراغه
بهرام زهی پور
دانشجویی کارشناسی ارشد مهندسی مواد- سرامیک، دانشگاه شهرکرد
حسین مومنی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مواد- بیو مواد، دانشگاه اصفهان