تحلیل و مدل سازی ترانزیستورهای اثرمیدان مبتنی بر نانولوله کربنی

با رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، چالشهای فراوانی را نیز فراروی متخصصین الکترونیک قرار داده است. برخی از این چالشها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است. این مسایل منجرب به جایگزینی مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی شده است. یکی از مواد مهم در نانو الکترونیک که به دلیل خواص الکتریکی، حرارتی، مکانیکی در جوامع علمی مورد توجه قرار گرفته است، نانولوله کربن میباشد، یکی از مشکلاتی که برای افزارهای مورد بررسی قرار میگیرد و تاثیری که روی عملکرد ومشخصات افزاره دارد اثر خود گرمایی میباشد به طوری که ثابت شده است دمای ترانزیستور با وجود این اثر بالا میرود و افزایش دما باعث کاهش عملکرد ترانزیستور میشود.در این مقاله ساختار ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربنی از لحاظ ساختار هندسی، نحوه عملکرد، خواص الکتریکی و الکتروگرمایی به خصوص اثر خود گرمایی، فرکانس قطع، مشخصه ترانزیستور و ولتاژ آستانه مورد بحث قرار میگیرد

Keywords:

ترانزیستور اثرمیدان , نانولوله کربن , اثرخودگرمایی , مشخصه ترانزیستور , فرکانس قطع , ولتاژ آستانه , بهره توان , خواص الکتریکی