تاثیر نقص بر روی ویژگی های الکترونیکی و انتقالی نانو نوار های گرافنی پیچ خورده
Publish place: Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 366
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF05_093
تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397
Abstract:
در این مقاله با استفاده از روش تیوری تابعی چگالی در ترکیب با تابع گرین غیر تعادلی به شبیه سازی و تحلیل ویژگی های الکترونیکی و انتقالی نانو نوارگرافنی پیچ خورده در دو حالت بدون نقص و دارای نقص تهی جا پرداختیم. نمودار چگالی حالات نانو نوار گرافنی بدون نقص نشان می دهد که ساختار یک نیمه هادی دارای شکاف انرژی 8ر0 الکترون ولت است ولیکن در اثر پیچ خوردگی و در برخی از زوایای پیچ ساختار به فلز تبدیل می شود. در مقایسه با آن حضور نقص تهی جا در نانو نوار گرافنی آرمچیر پیچ خورده سبب می شود تا در زوایای پیچ صفر و 30 درجه شکاف انرژی بسیار کوچک و در حد میلی الکترون ولت می شود . افزایش بیشتر زاویه پیچ نیز سبب ایجاد پیک های شدید در انرژی فرمی می شود و بنابراین ساختار به فلز تبدیل می شود . مقایسه جریان ها در ولتاژ بایاس 2 ولت نشان می دهد که پیچ خوردگی سبب افزایش جریان و هدایت ساختار در هر دو حالت حضور و عدم حضور نقص تهی جا می شود.
Keywords:
Authors
سمیه فتوحی
گروه برق-الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، اسلامشهر، ایران
حامد لشگری
گروه برق-الکترونیک، دانشکده گروه فنی و مهندسی، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، اسلامشهر، ایران