امیره سیدفرجی - دانشیار گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران

در این مقاله ساختار حلقوی کریستال فوتونی برای تقویت رامان بررسی میشود. سپس به کمک استفاده از مواد اپتوفلوییدی در حفرههای 2 سوی مسیر عبور سیگنال، میزان سرعت گروه پمپ و سیگنال کاهش مییابد که سبب افزایش بهره رامان میشود. برای دستیابی به بهره رامان بزرگتر، از ساختار 2 حلقه کمک میگیریم و نرخ ارسال بیت را در تمامی-ساختارها، بررسی میکنیم. در این ساختارها، معادلات ماکسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غیرخطی جذب دو فوتونی، جذب حامل آزاد، اثر کر و مدلاسیون فاز خودی در موجبر کریستال فوتونی هایبرید حل میشوند. در این مقاله، از ساختاری با طول 100μm، بهره رامان 19/01 dB و نرخ بیت 0/6493 ×1012 pulse/sec حاصل شده است.

تقویت کننده رامان، ساختار حلقوی، کریستال فوتونی، مواد اپتوفلوییدی، نرخ بیت، معادلات ماکسول