مطالعه خواص و مشخصات نانو ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی

با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه هایی با ابعاد کوچک تر ، استفاده از فناوریهای جدید در ساخت ترانزیستورها به عنوان جزء اصلی تراشه ها ضروری به نظر میرسد. پس از انجام آزمایشهای بسیار دانشمندان به این نتیجه رسیدند که نانولولهای کربنی† که اساس ساختار آنها از کربن است میتواند گزینه مناسبی برای ادوات الکترونیکی مبتنی بر سیلیکون باشند. استفاده از نانولوله های کربنی میتواند قدرت سوییچینگ بالاتر، منحنی ولتاژ به جریان ایده آل تر، توزیع سرعت انتقال کربن و تحرک پذیری بهتر را در ترانزیستور های نسل جدید ایجاد کند و همچنین در مدارات مجتمع به کار برده شده میتواند باعث جریانکشی کمتر که خود منجر به توان مصرفی پایینتر و در نتیجه بهبود کارایی نسبت به ماسفتهای سیلیسیمی می شود. کارکتر D1 یکی از ویژگی های مهم نانولوله های است که محدوده مناسبی از بارهای الکتریکی فراهم می آورد و به این ترتیب یک مشخصه الکترواستاتیک مناسب را فراهم میکند که در یک نوع ترانزیستور کابردی به نام CNTFET (ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی) ضروری است. ساختار نوار نانولوله های پیچیده شده می تواند توسط ناحیه تاشونده و ساختار باند صفحه های گرافن بدست آید. این روش در این تحقیق مورد استفاده قرار میگیرد تا ویژگیهای الکتریکی نانولوله های کربنی شبیه سازی شده و تاثیر سه باند تابع اولیه را در ویژگی الکتریکی CNTFET بررسی میشود.

Keywords:

نانولوله های کربنی , ترانزیستور , کنترل الکترواستاتیک , بارهای الکتریکی , ناحیه تاشونده , صفحه های گرافن