ارایه یک مدار تمام جمع کننده ترکیبی مبتنی بر ترانزیستورهای MOSFET با انرژی مصرفی حداقل
Publish place: Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 529
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF05_718
تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397
Abstract:
یکی از اصلی ترین عملگرهای محاسباتی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا نظیر ریزپردازنده ها و پردازش سیگنال های دیجیتال، جمع کننده ها می باشند. توان مصرفی و تاخیر انتشار مهمترین پارامترهای کارایی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا می باشند. در این مقاله با هدف بهبود پارامترهای توان مصرفی و تاخیر انتشار، یک مدار جمع کننده ی ترکیبی با استفاده از ترانزیستورهای MOSFET ارایه شده است. مدار پیشنهادی به همراه مدارات ارایه شده قبلی با استفاده از شبیه ساز HSPICE و در فناوری 32 نانومتر، شبیه سازی و تحلیل شده اند. شبیه سازی مدارات به ازای فرکانس های متفاوت، خازن های بار متفاوت و ولتاژهای متفاوت انجام شده است. طبق نتایج حاصل از شبیه سازی، مدار ترکیبی ارایه شده در این مقاله، پارامترهای توان مصرفی، تاخیر انتشار و انرژی مصرفی را به طور قابل ملاحظه ای بهبود بخشیده اند.
Keywords:
Authors
رسول کاظمی
دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
اسماعیل زینالی
استادیار دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
سیدسعید حاجی نصیری
استادیار دانشکده مهندسی برق، پزشکی و مکاترونیک، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران