رسول کاظمی - دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
اسماعیل زینالی - استادیار دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
سیدسعید حاجی نصیری - استادیار دانشکده مهندسی برق، پزشکی و مکاترونیک، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران

یکی از اصلی ترین عملگرهای محاسباتی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا نظیر ریزپردازنده ها و پردازش سیگنال های دیجیتال، جمع کننده ها می باشند. توان مصرفی و تاخیر انتشار مهمترین پارامترهای کارایی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا می باشند. در این مقاله با هدف بهبود پارامترهای توان مصرفی و تاخیر انتشار، یک مدار جمع کننده ی ترکیبی با استفاده از ترانزیستورهای MOSFET ارایه شده است. مدار پیشنهادی به همراه مدارات ارایه شده قبلی با استفاده از شبیه ساز HSPICE و در فناوری 32 نانومتر، شبیه سازی و تحلیل شده اند. شبیه سازی مدارات به ازای فرکانس های متفاوت، خازن های بار متفاوت و ولتاژهای متفاوت انجام شده است. طبق نتایج حاصل از شبیه سازی، مدار ترکیبی ارایه شده در این مقاله، پارامترهای توان مصرفی، تاخیر انتشار و انرژی مصرفی را به طور قابل ملاحظه ای بهبود بخشیده اند.

جمع کننده ترکیبی، ترانزیستورهای MOSFET، انرژی مصرفی،