مهدی زمانی - دانشجوی کارشناسی ارشد، مهندسی الکترونیک، موسسه آموزش عالی ادیبان گرمسار
حسن خالصی - استادیار گروه مهندسی الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار

در این مقاله، کاهش نوسانات جریان الکتریکی برای MOS دو بخشی جانبی نوع (nLDMOS) n با اکسید گیت نازک و MOS دو بخشی جانبی نوع (pLDMOS) p با اکسید گیت قطور تحت فشار جریان هجومی حالت خاموش به صورت آزمایشی مورد بررسی قرار می گیرد. در طول فشار اگرچه حالات رابط تولید شده در رابط Si/SiO2 تحت ترمینال پلی گیت برای دو دستگاه وجود دارد، مکانیسم اصلی کاهش برای nLDMOS تزریق بارهای مثبت در اکسیدی که در ان موقعیت است می باشد در حالی که مکانیسم اصلی pLDMOS بارهای منفی جهت به دام اندازی اکسید موجود در آن موقعیت شناسایی شده است. در این روش جریان خطی تحت نظارت درین (Idlin) و جریان اشباع درین (Idsat) از دو دستگاه تحت فشار با گذشت زمان فشار با توجه به حامل های بازتابی القایی افزایش یافته اند. علاوه بر این تفاوت توزیع لایه تخلیه منجر به مسیر جاری شدن جریان با عمق متفاوت تحت دو شرایط نظارتی بالا برای دو دستگاه می شود در نتیجه تاثیرات وارد بر کاهش پارامترهای الکتریکی ناشی از آسیب های دستگاه نیز متفاوت اند.

جریان الکتریکی، اشباع، اکسید گیت،کاهش