بهبود بهره و خطسانی تقویت کننده CMOS با ساختار توزیع شده

در این مقاله به منظور بهبود همزمان بهره و خطسانی، تقویت کننده توزیع شده CMOS مبنی برسلول بهره جدید ارایه شده است. سلول بهره پیشنهاد شده ترکیب متوالی از یک تقویت کننده سورس مشترک و ساختار پوش پول می باشد. استفاده از ساختار پوش پول باعث افزایش چشمگیر اینترمدلاسیون مرتبه سوم (IIP3) شده است. افزایش بهره نیز به دلیل ترکیب متوالی دو تقویت کننده می باشد. تقویت کننده توزیع شده پیشنهادی در فناوری 0.13μm با نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که تقویت کننده توزیع شده پیشنهادی در پهنای باند DC-13GHz دارای بهره مسطح 23dB و اینترمدلاسیون مرتبه سوم 7dBm می باشد. تلفات بازگشتی ورودی و تلفات بازگشتی خروجی به ترتیب کمتر از 20dB- و 7dB- می باشند. عدد نویز این معماری کم تر از 4.2dB است.

Keywords:

تقویت کننده توزیع شده , تقویت کننده پهن باند , بهبود خطسانی , بهره بالا