بررسی رفتار مد نقص در بلورهای مگنتو فوتونی یک بعدی
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 293
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CEES01_111
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1397
Abstract:
در این بررسی ساختارهای لایه ای مغناطیسی موسوم به بلورهای مگنتوفوتونی شامل لایه نقص مغناطیسی را بررسی کردیم در این بررسی از روش ماتریس 4x4 استفاده کردیم طیف تراگسیل بلور مگنتو فوتونی را با بهره گیری از روش ماتریس انتقال بررسی کرده و نشان دادیم که در این ساختار های لایه ای مد تشدیدی در طول موج ꝩ= 1550nm در طیف تراگسیل آنها ظاهر میشود نتایج نشان داد که مکان این مد نقص مستقل از مقدار میدان مغناطیسی اعمال خارجی میباشد تاجایی که با افزایش میدان مغناطیسی خارجی تا حد اشباع مکان مد نقص ثابت میماند در حالی که میزان تراگسیل آن تابع میدان مغناطیسی اعمالی میباشد هم چنین با فاصله گرفتن از مقدار ضخامت بهینه لایه نقص از میزان تراگسیل مد نقص کاسته میشود به نظر میرسد نتایج حاصله در طراحی ادوات اپتیکی بر پایه بلورهای مگنتوفوتونی مفید واقع شوند
Keywords:
بلور مگنتوفوتونی- روش ماتریس انتقال- مد نقص
Authors
ربابه طالب زاده
گروه فیزیک واحد تبریز دانشگاه آزاد اسلامی تبریز ایران
مهرداد باوقار
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان واحد تبریز دانشگاه آزاد اسلامی تبریز ایران