Dynamic Response Analysis of Self-Assembled InAs/GaAs QDIP
Publish place: 16th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2010)
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,112
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_028
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
Abstract:
In this paper, for the first time, based on the dynamic behavior of the self-assembled InAs/GaAs quantum dot (QD) infrared photodetectors (QDIPs), we extract a set of rate equations for the operation of the device. By using the presented model, effects of carrier dynamics on QDIPs are investigated. The effect of relaxation times in the self assembled QD, like excited state and wetting layer to ground state on frequency response of QDIP is studied
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :