تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه
عنوان مقاله: تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه
شناسه ملی مقاله: ICOPTICP16_050
منتشر شده در شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران در سال 1388
شناسه ملی مقاله: ICOPTICP16_050
منتشر شده در شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران در سال 1388
مشخصات نویسندگان مقاله:
بیان کریمی - گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم
حسن بیدادی - گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم
فرامرز هادیان
خلاصه مقاله:
بیان کریمی - گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم
حسن بیدادی - گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم
فرامرز هادیان
دراین کار تجربی لایه های نازک نیترید مس به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc برروی زیرلایه های شیشه ای تحت توانهای تخلیه الکتریکی متفاوت و دمای ثابت زیرلایه نهشته شده اند. در این جا وابستگی چگالی، مقاومت ویژه الکتریکی و گاف اپتیکی فیلمها به توان تخلیه نشان داده شده است و علل تغییرات مشاهده شده مورد بحث قرار گرفته است.
کلمات کلیدی: فیلمهای نازک نیترید مس، کندوپاش مگنترونی واکنشی، توان تخلیه، گاف اپتیکی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/73595/