عزالدین مهاجرانی - تهران دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما
نعیمه ترابی - تهران دانشگاه شهید بهشتی، پژوهشکده لیزر و پلاسما

دراین کار دیود نور گسیل آلی با ساختار ITO/PVK/Alg3/Al ساخته شده است. لایه پلیمری PVK با استفاده از روش لایه نشانی چرخشی روی الکترود تزریق کننده حفره نشانده شده و برای لایه نشانی ماده آلی Alq3 از روش تبخیر گرمایی استفاده شده است. طیف تابشی این دیود و منحنی ولتاژ - جریان آن مورد ارزیابی قرار گرفته و با استفاده از آن، ضخامت بهینه لایه Alg3 به دست آمده است. با تحلیل اطلاعات به دست آمه از دیود و تطبیق آنها با مدلهای مختلف، مکانیسم حاکم بر انتقال حاملهای بار بررسی شده است.

دیود نور گسیل آلی، طیف الکترواومینوسانس، منحنی ولتاژ - جریان، PVK,Alg3