CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

مقایسه ی تأثیر برازش خطی و مرتبه ی دوم بهره در ساختارهای عرضی میدان در میکرومشدد نیم رسانا

عنوان مقاله: مقایسه ی تأثیر برازش خطی و مرتبه ی دوم بهره در ساختارهای عرضی میدان در میکرومشدد نیم رسانا
شناسه ملی مقاله: ICOPTICP16_078
منتشر شده در شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران در سال 1388
مشخصات نویسندگان مقاله:

فاطمه قاسمی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، دانشگاه تبریز ، تبریز - ایران
رضا خردمند - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، دانشگاه تبریز ، تبریز - ایران
اصغر عسگری - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، دانشگاه تبریز ، تبریز - ایران

خلاصه مقاله:
دراین مقاله برای لیزر نیم رسانای نشر کننده از سطح، بدون حذف بی درروی پلاریزاسیون و با استفاده از برازش مرتبه دوم منحنی بهره پارامتر ¦ مشخص شد در نتیجه معادله ی دینامیکی پلاریزاسیون اصلاح شد و به معادلات ماکسول - بلاخ اضافه گردید در ادامه با انتگرال گیری از این معادلات دینامیکی شبیه سازی های عددی انجام شدند. نتایج نشانگر شکل گیری الگوهای نوری خودبخودی و همچنین شاخه ی سولیتونی برای دمش بالای آستانه لیزرزائی است. این الگوهای نوری به دست آمده از برازش مرتبه دوم منحنی بهره نسبت به مشابه آن با استفاده از برازش خطی، ارائه دهنده ی افزایش در شدت با انرژی تزریق کمتری می باشند.

کلمات کلیدی:
آستانه لیزرزایی، سولیتون های کاواک، لیزر نشر کننده ی لبه ای، معادلات ماکسول - بلاخ

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/73623/