طیبه مولاروی - گروه فیزیک (آزمایشگاه مواد و الکتروسرامیک) دانشگاه فردوسی مشهد گروه فی
احمد کمپانی - گروه فیزیک (آزمایشگاه مواد و الکتروسرامیک) دانشگاه فردوسی مشهد
سیدمحمد حسینی - گروه فیزیک (آزمایشگاه مواد و الکتروسرامیک) دانشگاه فردوسی مشهد
Claudia Ambrosch-Draxl - دانشگاه لئوبن، اتریش

در این مقاله ساختار الکترونی تابع دی الکتریک و گذارهای اپتیکی نانولوله کربنی زیگزاگ (0.10) به کمک نظریه تابعی چگالی و با استفاده از اصول اولیه مطالعه شده است. ساختار نواری محاسبه شده این نانولوله نشان می دهد که نانولوله کربنی (10.0) نیمرسانا و دارای گاف انرژی مستقیم د ر حدود 0/71eV در نقطه r است. توابع اپتیکی نانولوله کربنی (10.0) برای هر دو راستای میدان اعمالی موازی و عمودی با محور نانولوله محاسبه شده است. تابع دی الکتریک ناهمسانگرد و در راستای میدان اعمالی موازی دارای مقدار بیشتری نسبت به میدان اعمالی عمودی است. مقدار ثابت دی الکتریک در حالت قطبش موازی 16/2 و در قطبش عمودی 5/55 بدست آمده است. اولین ، دومین ، سومین و چهارمین گذارهای اپتیکی نانولوله کربنی (10.0) به ترتیب در انرژیهای 0/72 و 2/1و 2/4 و 3eV رخ می دهد. مقدار گاف اپتیکی محاسبه شده در راستای میدان اعمالی عمودی حدود 1/2eV بدست امد. که بیشتر از گاف اپتیکی محاسبه شده در راستای قطبش موازی 0/72eV است.

نانولوله کربنی (10.0) ، نظریه تابعی چگالی، گذارهای اپتیکی، تابع دی الکتریک