بررسی خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO4
Publish place: 16th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2010)
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 943
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_200
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
Abstract:
درا ین مقاله خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO ، از قبیل تابع چگالی حالتها، تابع دی الکتریک، ضریب شکست، ضریب خاموشی و طیف اتلاف انرژی الکترون مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات به روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خط (FP-LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف الکتریکی محاسبه شده در این مقاله برابر 3/76 الکترون ولت و گاف اپتیکی برابر با 2/5 الکترون ولت است.
Keywords:
تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) , چگالی کل حالتها (Dos)
Authors
جواد باعدی
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
زهرا ابراهیمی
گروه برق، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
آتنا بروغنی
گروه برق، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :