جواد باعدی - گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
زهرا ابراهیمی - گروه برق، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
آتنا بروغنی - گروه برق، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار

درا ین مقاله خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO ، از قبیل تابع چگالی حالتها، تابع دی الکتریک، ضریب شکست، ضریب خاموشی و طیف اتلاف انرژی الکترون مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات به روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خط (FP-LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف الکتریکی محاسبه شده در این مقاله برابر 3/76 الکترون ولت و گاف اپتیکی برابر با 2/5 الکترون ولت است.

تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) ، چگالی کل حالتها (Dos)