جواد باعدی - گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار
زهرا ابراهیمی - گروه برق،دانشگاه تربیت معلم ، سبزوار
آتنا بروغنی - گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار

دراین مقاله خواص الکترواپتیکی ترکیب GaAsO4 ، از قبیل تابع چگالی حالت ها، تابع دی الکتریک، ضریب شکست، ضریب خاموشی و طیف اتلاف انرژی الکترون مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات به روش پتانسیل کامل امواج تخت تقویت شده خط (FP-LAPW) در چارچوب نظریه تابعی چگال (DFT) با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف الکترونیکی محاسبه شده دراین مقاله برابر 3/76 الکترون ولت و گاف اپتیکی برابر 2/5 الکترون ولت است.

تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) ، چگالی کل حالتها (Dos)