سولماز جمالی - تهران سازمان انرژی اتمی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده پلاسما و گداخت هسته ای
احمد مشاعی - تهران دانشگاه تربیت مدرس دانشکده علوم پایه بخش فیزیک

در این تحقیق روشی نوین برای سنتز لایه نازک نیم رسانای CuWO4 با استفاده از روش لایه نشانی چرخشی روی سطح نیم رسانای اکسید فلزی Cu2O ارایه شده است. در این روش با استفاده از پیش ماده های مورد استفاده برای سنتز WO3 و روش لایه نشانی چرخشی روی Cu2O ساختارهای لایه نازک CuWO4 به دست می آید. اندازه گیری های میکروسکپ الکترونی EM ، XRD ،EDX و UV.Vis جهت مشاخصه یابی و تایید تشکیل لایه نازک CuWO4 به کار گرفته شده است و برای اولین بار ساخت این نیم رسانا به این روش گزارش شده است.

لایه نازک، نیمه رسانای CuWO4، لایه نشانی چرخشی Cu2O