تاثیر تابکاری بر روی لایو نازک اکسید تنگستن بو منظور کاربرد در سیستم آینوی گرمایی
Publish place: 21st Iranian Conference on Crystallography and Mineralogy
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 344
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMI21_136
تاریخ نمایه سازی: 16 تیر 1397
Abstract:
سیستم سه لایه ی دی الکتریک/فلز/دی الکتریک لایه نشانی شده بر روی شیشه، میتواند به عنوان یک فیلتر اپتیکی که طیف مادون قرمز امواج الکترومغناطیس را بازتاب و به بیشتر امواج مریی اجازه ی عبور میدهد به کار رود. دراین تحقیق از اکسیدتنگستن به عنوان دیالکتریک و از نقره برای پوشش فلزی بازتاب دهنده استفاده شد. لایه ی نازک اکسید تنگستن با استفاده از تکنیک تبخیر با پرتو الکترونی لایه نشانی شد. اثر دما و مدت تابکاری بر روی ساختار و خواص اپتیکی لایه ها بررسی شد. تابکاری در خلا و در دماهای مختلف انجام شد. مورفولوژی سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی مورد بررسی قرار گرفت که نشان داد که اندازه ی مولکولها وابسته به دمای تابکاری میباشد.
Authors
قاسم کاوه ای
کرج مشکین دشت پژوهشگاه موادوانرژی
آیدین های فکور
پژوهشگاه موادوانرژی پژوهشکده نیمه هادی ها
سعید نیک بین
پژوهشگاه موادوانرژی پژوهشکده نیمه هادی ها